电子封装陶瓷基板的制备流程及应用领域和陶瓷基板SP300清洗剂介绍

电子封装陶瓷基板的制备流程及应用领域介绍

一、制备流程

电子封装陶瓷基板的制备工艺根据材料和需求差异分为多种技术路线，以下是主流工艺的流程及特点：

1. 高温共烧陶瓷基板（HTCC）

• 流程：

• 特点：热导率高（20~200 W/m·K），但金属选择受限（高熔点金属导电性差），成本较高。

1. 将氧化铝（Al₂O₃）或氮化铝（AlN）陶瓷粉与黏结剂混合成浆料，刮片成型为生坯。

2. 钻导通孔后，通过丝网印刷金属浆料（如钨、钼）布线。

3. 多层叠加后在1600℃高温烧结，形成多层结构。

2. 低温共烧陶瓷基板（LTCC）

• 流程：

• 特点：导电性好，但对位精度受丝网印刷限制，需增加导热孔提升性能。

1. 在Al₂O₃粉中掺入低熔点玻璃料，制成浆料流延成生坯。

2. 丝网印刷金、银等金属浆料布线，烧结温度降至850~900℃。

3. 直接键合铜陶瓷基板（DBC）

• 流程：

• 特点：导热性优异，但铜箔易翘曲，最小线宽>100μm。

1. 氧化铝基片与铜箔在1065℃高温下共晶烧结，形成Cu-Al₂O₃-Cu结构。

2. 化学刻蚀形成电路图形。

4. 直接电镀铜陶瓷基板（DPC）

• 流程：

• 特点：低温工艺（<300℃），线路精度高，但结合强度较低，适用于大功率LED。

1. 陶瓷基片表面溅射Ti/Cu种子层，光刻定义图形后电镀增厚铜层。

2. 去除光刻胶，形成精细线路（线宽可达微米级）。

5. 其他工艺

• 活性金属焊接（AMB）：用稀土焊料（如Ti、Zr）实现铜-陶瓷焊接，键合温度更低，适用于第三代半导体封装。

• 激光活化金属（LAM）：激光直写金属化，精度高但成本高昂，主要用于航空航天。

二、应用领域

陶瓷基板凭借其高导热、绝缘及耐高温特性，在多个领域发挥关键作用：

1. 功率电子器件

• IGBT模块：DBC和AMB基板用于绝缘栅双极晶体管封装，耐受高电流和高温。

• 电动汽车：AMB基板匹配SiC器件的高功率需求，替代传统DBC。

2. 光电子与显示

• 大功率LED：DPC基板因精细线路和低温工艺成为主流。

• 激光二极管（LD）：DBC基板用于散热，保障激光器稳定性。

3. 航空航天与军工

• 高频器件：LTCC基板低介电常数特性适用于雷达和通信模块。

• 气密性封装：氧化铝基板用于卫星和导弹等严苛环境。

4. 消费电子与汽车

• MEMS传感器：氧化铝基板用于加速度计、压力传感器封装，耐腐蚀且尺寸稳定。

• 汽车电子：厚膜印刷基板（TPC）用于对精度要求不高的车载电路。

5. 新能源与光伏

• 聚焦型光伏（CPV）：HTCC基板高机械强度适配户外高温环境。

总结

陶瓷基板的制备工艺需根据应用场景选择，如DBC/AMB侧重高功率散热，DPC/LTCC强调精度与灵活性。其应用领域覆盖从消费电子到航空航天的广泛需求，未来随着第三代半导体和5G技术发展，陶瓷基板的市场潜力将进一步释放。

氧化铝陶瓷基板氮化铝陶瓷基板清洗的水基清洗剂

SP300是一种专用于氧化铝、氮化铝陶瓷基板清洗的水基清洗剂，配合超声波清洗工艺，能有效去除陶瓷基板表面的激光钻孔残留、灰尘、油污等污垢，使陶瓷基板后续的金属化具有良好的结合力。