因为专业
所以领先
功率芯片PCB内埋式封装技术通过将功率芯片直接嵌入PCB基板内部,实现了电气连接、散热路径和机械结构的协同优化,特别适用于宽禁带半导体(如碳化硅、氮化镓)器件。其核心优势包括:解决传统封装的散热瓶颈、降低寄生参数、提升集成度,为电动汽车逆变器、新能源发电等大功率场景提供性能突破。采埃孚CIPB方案、博世Dauerpower逆变器等商业化案例已验证其技术潜力。
功率芯片PCB内埋式封装流程需融合传统芯片封装工艺与PCB制造特性,主要分为芯片预处理、PCB基板制备、芯片嵌入与互连、封装后处理四大阶段,各环节需满足电性能、热管理和机械可靠性的多维度要求。
晶圆减薄与切割
对晶圆进行背面研磨减薄(厚度通常降至50-100μm),通过激光切割或金刚石砂轮切割分离为独立芯片(Die),同时采用UV膜保护芯片电路面。减薄工艺可改善散热路径并降低切割应力。
焊盘金属化与表面处理
对芯片焊盘进行电镀(如Ni/Au镀层)或烧结银处理,提升互连界面的导电性与可靠性,为后续键合或倒装焊做准备。
基材选型与改性
需突破传统FR-4基材性能缺陷,采用陶瓷填充树脂、金属基覆铜板等材料,目标提升导热系数(>3W/m·K)并降低热膨胀系数(CTE),匹配芯片与基板的热应力兼容性。
PCB内埋 cavity 结构加工
通过机械铣槽或激光开槽在PCB基板预设芯片嵌入腔(Cavity),精度需控制在±10μm以内,确保芯片与基板的贴合间隙<20μm,为散热路径优化奠定基础。
芯片贴装(Die Attach)
将预处理后的芯片倒装或正装于PCB cavity内,采用银浆烧结、焊料焊接或环氧树脂粘结工艺固定,键合层厚度需控制在10-30μm以降低热阻。此环节需通过高精度贴片机实现±5μm的定位精度。
互连工艺实现
导线键合(Wire Bonding):采用金线或铜线超声键合,连接芯片焊盘与PCB内层电路,键合强度需达到≥5g的拉拔力标准。
倒装焊(Flip Chip):通过焊球阵列(BGA)直接实现芯片与PCB的电学连接,寄生电感可降低至传统引线键合的1/5。
PCB层间互连:利用激光钻孔与电镀铜工艺形成垂直导通孔(VIAs),实现芯片与PCB外层电路的电气导通。
绝缘封装与密封
采用环氧树脂模塑料(EMC)或聚酰亚胺涂层覆盖芯片及互连区域,需确保绝缘层厚度均匀(≥50μm),并通过高压测试(≥1kV DC)验证绝缘可靠性,防止电树枝与铜须生长导致的失效1。
热界面材料(TIM)集成
在PCB背面或芯片裸露区域涂覆导热硅脂或烧结银,降低与散热片的接触热阻,总热阻需控制在<0.5℃/W。
测试与失效分析
通过X-ray检测互连质量,进行功率循环测试(>10⁵次)与温度循环测试(-40℃~125℃),验证长期可靠性。
优化维度 | 核心问题 | 创新方案 |
空间维度 | 互连寄生参数大、散热路径长 | 立体布线设计、嵌入式散热鳍片1 |
材料维度 | 基材导热性差、热应力失配 | 纳米陶瓷填充树脂、金属芯PCB基板1 |
可靠性维度 | 绝缘老化、焊点疲劳 | 梯度热膨胀系数设计、无铅焊料合金 |
工艺精度控制:芯片嵌入公差需<±5μm,PCB层压过程中腔体变形需<3μm。
成本优化:激光切割与高精度贴装设备投资较高,需通过工艺集成(如晶圆级封装与PCB制造融合)降低单件成本。
随着宽禁带器件的普及,PCB内埋式封装技术将向高密度集成(多芯片模块MCM)、三维堆叠(3D IC)方向发展。预计到2027年,电动汽车逆变器领域的渗透率将突破30%,推动整车电驱系统效率提升至97%以上。
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
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