传统与先进封装的半导体封装生产线工艺流程有哪些区别？合明科技芯片清洗剂

传统和先进封装的半导体封装生产线工艺流程存在明显区别，以下为你详细介绍：

传统封装工艺流程

传统封装概念从最初的三极管直插时期后开始产生，其过程主要如下 ：

1. 切割晶粒：将晶圆切割为晶粒（Die）。

2. 晶粒贴合：使晶粒贴合到相应的基板架的小岛（Leadframe Pad）上。

3. 导线连接：利用导线将晶片的接合焊盘与基板的引脚相连（Wire Bond），实现连接。

4. 外壳保护：用外壳加以保护（Mold，或 Encapsulation），典型封装方式有 DIP、SOP、TSOP、QFP 等。

先进封装工艺流程

先进封装主要包括倒装类（Flip Chip，Bumping），晶圆级封装（WLCSP，FOWLP，PLP），2.5D 封装（Interposer）和 3D 封装（TSV）等。以倒装芯片（Flip Chip）和晶圆级封装为例，其工艺流程如下 ：

• 倒装芯片（Flip Chip）

1. UBM 触垫制造：当芯片制作工序完成后，制造 UBM（Under bump metallization）触垫，用于实现芯片和电路的连接。

2. 焊料凸点淀积：将焊料凸点（Bumping）淀积于触点之上，焊锡球（Solder ball）是最常见的 Bumping 材料，也可根据不同需求选择金、银、铜、钴等，对于高密度的互联及细间距的应用，铜柱是一种新型材料。

3. 芯片倒装互联：将芯片有源区面对着基板，通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点实现芯片与衬底的互联，硅片直接以倒扣方式安装到从硅片向四周引出 I/O。

• 晶圆级封装：产品生产以圆片形式批量生产，可以利用现有的晶圆制备设备，封装设计可以与芯片设计一次进行，缩短设计和生产周期，降低成本。

两者区别总结

• 连接方式：传统封装采用导线键合（Wire Bond）方式实现晶粒与基板引脚的连接；而先进封装的倒装芯片（Flip Chip）则是通过芯片上的焊料凸点实现芯片与衬底的互联，互联长度大大缩短 。

• 生产形式：传统封装是将晶圆切割成单个晶粒后再进行后续封装步骤；晶圆级封装这类先进封装技术则是以圆片形式批量生产，可与芯片设计同步进行，提高了设计和生产效率 。

• 技术复杂度：先进封装技术更为复杂和多样化，除了倒装芯片和晶圆级封装，还包括 2.5D 封装、3D 封装等，这些技术旨在实现更高密度的集成和更好的性能；传统封装技术相对较为基础和常规 。

芯片封装清洗剂选择：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

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